(BFM Bourse) - En direct de Boston, le SOI Consortium a publié mercredi soir un communiqué présentant les résultats d'une étude comparative entre des transistors avec architecture FinFET (Fin Field Effect. Transistor (des transistors de géométrie différente réduisant la surface occupée et permettant de diminuer les fuites de courant) utilisant soit du silicium sur isolant (SOI), soit du silicium massif (bulk silicium).

« L'analyse montre que la fabrication sur des substrats SOI ou bulk est en réalité équivalente en terme de performances et de coûts. Toutefois, les [transistors] FinFET sur bulk sont beaucoup plus difficiles à fabriquer en raison d'une variabilité accrue des process de fabrication », indique le SOI Industry Consortium.

« C'est une étude très importante. Alors que l'industrie envisage la transition vers des transistor non planaires, il est vital de fournir les meilleures évaluations possibles de fabricabilité, de coûts et de performances entre les deux options de substrats : bulk et SOI », déclare Horacio Mendez, le directeur exécutif du SOI Industry Consortium.

Alors que l'industrie des semiconducteurs se tourne vers la finesse de gravure de 22 nm, certains fabricants envisagent en effet une transition à partir des transistors CMOS traditionnels planaires vers une architecture FinFET tridimensionnelle.