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STMICROELECTRONICS

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Stmicroelectronics : Lancement de nouveaux circuits intégrés

lundi 16 mai 2016 à 15h15
BFM Bourse

(CercleFinance.com) - STMicroelectronics a annoncé ce lundi via un communiqué le déploiement de nouveaux circuits intégrés de puissance avancés à haut rendement pour véhicules électriques et hybrides. Ces composants seront prochainement qualifiés selon la norme de qualité automobile AEC-Q101.

Dans les véhicules électriques et hybrides, la toute nouvelle technologie en carbure de silicium (silicon carbide ou SiC) du groupe a vocation à permettre aux constructeurs de créer des véhicules capables de parcourir de plus grandes distances, mais également de se recharger plus vite et de mieux s'intégrer à la vie quotidienne de leur propriétaire.

'Le carbure de silicium est une technologie à large structure de bande (wide bandgap) qui permet de réaliser des composants de taille plus réduite, capables de fonctionner nettement au-dessus de la plage de tension de 400 volts (V) qui caractérise les systèmes de transmission dont sont actuellement équipés les véhicules électriques et hybrides', décrypte STMicroelectronics. Et de poursuivre: 'les petites structures de transistors et diodes SiC se caractérisent par une résistance interne moins élevée et réagissent plus rapidement que les circuits intégrés en silicium ordinaires. Cette approche minimise les pertes d'énergie et permet de réduire les dimensions des composants associés, avec à la clef des économies supplémentaires de dimensions et de poids.'

Le groupe figure également parmi les premiers à produire des MOSFET fonctionnant en tensions élevées en technologie SiC, avec le MOSFET SiC 1 200 V lancé en 2014. Ce transistor affiche une tenue en température de 200 degrés celsius, la plus élevée de l'industrie, permettant de réaliser des designs plus simples et plus efficaces. Afin d'abaisser les coûts de fabrication, d'améliorer la qualité et de livrer les importants volumes qu'exige l'industrie automobile, STMicroelectronics va produire ses MOSFET et diodes SiC sur des tranches de 6 pouces.

La migration devrait être achevée d'ici à la fin de l'année pour les 2 types de composants.

Après avoir qualifié ses diodes SiC 650 V selon la norme AEC-Q101, ST finalisera par ailleurs la qualification de ses tout derniers MOSFET SiC 650 V et de ses diodes SiC 1 200 V début 2017. La qualification des MOSFET SiC 1 200 V de nouvelle génération sera, elle, achevée d'ici à la fin de l'année 2017.


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