(CercleFinance.com) - STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics, un leader sur le marché des semiconducteurs composés en Chine ont annoncé aujourd'hui la signature d'un accord portant sur la création d'une nouvelle co-entreprise de fabrication de composants en carbure de silicium de 200 mm de diamètre à Chongqing en Chine.

Cette nouvelle usine de carbure de silicium vise un démarrage de la production au quatrième trimestre 2025 avec une pleine capacité anticipée en 2028 afin de soutenir la demande croissante en Chine pour l'électrification automobile ainsi que pour les applications d'énergie et de puissance pour l'industriel.

Parallèlement, Sanan Optoelectronics construira et exploitera séparément une nouvelle unité de production de substrats SiC en 200 mm afin de répondre aux besoins de la co-entreprise, en utilisant sa propre technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium.

Le montant total nécessaire pour atteindre la pleine capacité de la co-entreprise devrait s'élever à environ 3,2 milliards de dollars, dont des dépenses d'investissement (capex) d'environ 2,4 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années.

'Cette co-entreprise devrait être un des éléments nous permettant de saisir l'opportunité d'atteindre un chiffre d'affaires d'au moins 5 milliards de dollars pour le SiC d'ici 2030.  Cette initiative est cohérente avec l'ambition de ST d'atteindre un chiffre d'affaires de 20 milliards de dollars et au-delà d'ici 2025-2027. ' a déclaré Jean-Marc Chéry, Président du Directoire et Directeur Général de STMicroelectronics.

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