(BFM Bourse) - STMicroelectronics a annoncé lundi soir la signature d'un accord de grande envergure avec le fabricant américain de mémoire vive Rambus, mettant un terme à toutes les actions en justice en cours entre les deux entreprise, et les engageant à étudier de nouvelles possibilités de collaboration.

Cet accord en plusieurs volets permet en particulier à Rambus d`accéder à l'environnement de conception basé sur la technologie Silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator) de ST. Rambus pourra ainsi tirer parti des géométries microélectroniques réduites et de la faible consommation d`énergie qu'offre la filière FD-SOI dans les noeuds de 28nm et inférieurs pour ses futures solutions d'interface mémoire.

Pour sa part, ST a obtenu des termes de licence avec la division de Rambus Cryptography Research, Inc (CRI) lui permettant de déployer dans une plus large gamme de produits les techniques de contremesures contre les attaques DPA (Differential Power Analysis, analyse de consommation différentielle) ainsi que les circuits de sécurité CryptoFirewall.

« Cet accord avec Rambus est triplement gagnant pour les deux parties qui peuvent désormais partager et utiliser de façon étendue des technologies importantes revêtant une forte valeur pour notre entreprise, l`industrie et nos clients », a déclaré Gian Luca Bertino, vice-président exécutif du groupe Convergence Numérique de STMicroelectronics.

« Tandis que Rambus peut à présent accéder à notre technologie révolutionnaire de fabrication FD-SOI pour ses projets, ST pourra accroître le niveau de sécurité de ses puissants circuits intégrés pour décodeurs numériques et déployer des contremesures DPA dans tous les produits pertinents de sa gamme ».