(BFM Bourse) - STMicroelectronics et Soitec ont annoncé hier soir la signature d'un programme de coopération exclusif qui permettra de développer, au niveau tranche de 300mm de diamètre, une technologie destinée aux capteurs d'image CMOS à éclairage face arrière (BSI, backside illumination) pour les prochaines générations destinées aux produits grand public.

La résolution des capteurs d'image de pointe connaît une augmentation continue alors que la demande est forte pour réduire l'encombrement du module caméra, notamment dans les produits grand public. Ceci implique de développer des pixels individuels de taille réduite tout en préservant la sensibilité afin de produire des images de haute qualité. L'éclairage face arrière est une technologie-clé qui permet de relever ce défi pour le développement des capteurs d'image de nouvelles générations.

L'accord entre les deux sociétés inclus la licence par Soitec à ST de la technologie de collage de plaques Smart Stacking pour la fabrication de capteurs éclairés face arrière sur tranches de 300 mm. Cette technologie développée par l'unité Tracit de Soitec utilise la technique de collage moléculaire, ainsi que les technologies d'amincissement chimique et mécanique. ST va développer une nouvelle génération de capteurs d'images basée sur sa technologie dérivée CMOS avancée de 65 nm (nanomètre) et au-delà, sur tranche 300mm sur son site de Crolles (Isère). Associée aux moyens de fabrication avancés dont dispose ST, la technologie Smart Stacking permettra à ST de renforcer son leadership dans le développement et la fourniture de capteurs d'image de hautes performances pour produits mobiles grand public.

« Nous nous félicitons que STMicroelectronics ait choisi notre technologie Smart Stacking pour sa solution d'éclairage face arrière », déclare André-Jacques Auberton-Hervé, président et CEO du groupe Soitec.