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Stmicroelectronics : Accord avec Samsung sur la technologie FD-SOI en 28 nm

(Tradingsat.com) - STMicroelectronics et Samsung annoncent ce jour la signature d'un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d'une collaboration de production multi-sources.

Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST.

La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande permanente en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie dont les produits électroniques de nouvelle génération ont besoin, notamment les produits mobiles et destinés au grand public.

Cet accord porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. Le FD-SOI en 28nm de ST a déjà démontré ses avantages en termes de rapport rapidité/consommation d'énergie et de simplicité, et l'engouement des concepteurs de circuits intégrés à propos de cette technologie continue d'augmenter.

Cet accord complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm.

En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015.


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