(BFM Bourse) - Soitec dévoile aujourd'hui son substrat eSI90, le produit haut de gamme de sa famille de substrats RF-SOI en silicium sur isolant destinés aux applications de radiofréquence. L`eSI90 est conçu pour améliorer la performance de radiofréquence (RF) des composants de communication mobile, tels que les commutateurs et adaptateurs d`antenne à haute linéarité, intégrés dans les smartphones haut de gamme pour les réseaux LTE-Advanced (LTE-A) qui utilisent l`agrégation de porteuses. Cette technique permet d`utiliser simultanément plusieurs bandes de fréquences afin d`obtenir des débits plus élevés pour une meilleure expérience de l`utilisateur.

Les plaques eSI90 représentent la deuxième génération des substrats eSI de Soitec. Elles sont basées sur des substrats à haute résistivité (HR) pour les applications RF. Aujourd`hui, les substrats eSI de Soitec ont été largement adoptés par les leaders des semi-conducteurs RF pour répondre aux exigences de performance et de coût des circuits, réclamées par les marchés de l`Internet mobile 3G et 4G/LTE. Le produit eSI90 de Soitec présente une résistivité effective supérieure à celle de la première génération d`eSI, améliorant la linéarité de 10 decibel (dB) dans les modules RF haut de gamme. Elle permet de répondre aux nouvelles exigences des smartphones LTE-A.

"Avec l`introduction de l`eSI90, Soitec reste à la pointe de l`innovation en matière de substrat RF-SOI pour le secteur mobile et permet d`avoir des dispositifs RF haute performance pour les smartphones LTE-A et ceux de prochaine génération", indique Dr Bernard Aspar, Vice-Président et Directeur général de la Business Unit Communication & Power de Soitec. "Nous estimons qu`actuellement, plus d`un milliard de circuits RF sont produits chaque trimestre à partir de nos plaques eSI. Nous sommes heureux de permettre à nos clients, les entreprises leaders de circuit intégré RF, de répondre à l`explosion de la demande du marché du LTE-Advanced".

Soitec a élaboré un nouveau standard de métrologie, l`Harmonic Quality Factor (HQF) (le facteur de qualité harmonique) afin de prédire la linéarité RF des circuits intégrés. L`HQF est corrélé à la valeur de distorsion harmonique de second ordre d`un guide d`ondes coplanaires déposé sur le substrat. La valeur maximale d`HQF des nouvelles plaques est portée à -90 décibel-milliwatt (dBm), contre -80 dBm pour la précédente génération de substrats eSI. Cette limite plus basse des plaques eSI90 permet aux fabricants de puces d`affiner leurs conceptions et procédé de fabrication afin d`améliorer la performance RF de leurs circuits et de répondre aux exigences de la LTE-A avec MIMO (entrées et sorties multiples) et agrégation de porteuses, pour des échanges de données plus rapides.

Les nouveaux substrats eSI90 sont déjà en cours d`évaluation chez de nombreux fabricants de puces et fondeurs. Des échantillons prêts pour la production sont désormais disponibles chez Soitec.