(Cercle Finance) - STMicroelectronics et IBM ont annoncé mardi la signature d'un accord de coopération portant sur le développement de procédés technologiques de fabrication de prochaine génération.

Les deux groupes précisent que cet accord couvre le développement de procédés technologiques CMOS (complementary metal-oxyde-semiconductor) en géométrie 32 et 22 nanomètres, ainsi que les techniques de conception et la recherche avancée en matière de fabrication de tranches de silicium en 300 millimètres.

L'accord englobe également la technologie CMOS de base et les technologies dérivées à valeur ajoutée pour des systèmes sur puce (SoC), devant positionner les deux groupes 'à la pointe du développement technologique'.

IBM et ST comptent aussi collaborer sur des plates-formes et le développement de blocs de propriété intellectuelle (IP) afin d'accélérer la conception de systèmes sur puce.

Plus spécifiquement, ST envisage de mettre en place une équipe de R&D dans le centre microélectronique d'IBM à East Fishkill et Albany (New York). Pour sa part, IBM devrait constituer une équipe de R&D au sein de l'unité 300 mm de ST à Crolles (Isère).

'L'arrivée de STMicroelectronics au sein de l'alliance technologique d'IBM conforte notre capacité à relever les défis techniques et économiques de l'industrie des semi-conducteurs liés au développement des technologies avancées', estime John Kelly, un responsable de la recherche d'IBM.

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