(Cercle Finance) - STMicroelectronics annonce que PullNano, le projet européen intégré de recherche nanoélectronique auquel il est associé, a réalisé des 'avancées majeures' en ce qui concerne les technologies CMOS de générations 32 et 22 nm.

Le groupe franco-italien indique que les premiers résultats enregistrés par le consortium de R&D devraient permettre aux fabricants de circuits intégrés européens de préserver leur forte présence sur le marché mondial de la microélectronique au-delà de 2010.

Les résultats liés aux plates-formes technologiques CMOS de prochaines générations incluent notamment un démonstrateur mémoire SRAM CMOS fonctionnel, réalisé dans les règles de dessin de 32 nm.

'La génération de 32 nm constituera une étape décisive pour les fabricants de circuits intégrés car nous travaillons sur des couches dont l'épaisseur se mesure en quelques atomes seulement et où les effets de la mécanique quantique deviennent de plus en plus importants', explique Gilles Thomas, le coordinateur du projet PullNano.

Le programme PullNano regroupe 38 partenaires européens, parmi lesquels des fabricants de circuits intégrés, des instituts de recherche à vocation industrielle, des universités et des petites et moyennes entreprises (PME).

Plusieurs centres de STMicroelectronics, NXP Semiconductors et Freescale y sont associés. Le Commissariat à l'énergie atomique (CEA) participe également au projet.

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