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Soitec : Mise en production du nouveau substrat eSI pour les smartphones 4G/LTE

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(Tradingsat.com) - Soitec annonce aujourd'hui la mise en production industrielle de son nouveau substrat Enhanced Signal Integrity (eSI) permettant la fabrication de circuits de radiofréquence (RF) à haute performance et à un coût compétitif. Innovants, basés sur la technologie Smart Cut, les produits eSI de Soitec sont les premiers substrats utilisant un matériau de type "trap-rich" à être mis en production. Ils sont déjà utilisés par les principales fonderies RF et ont été adoptés comme substrats privilégiés pour les applications informatiques mobiles et communication 4G/LTE.

Ces substrats, sur lesquels les circuits sont fabriqués, ont un impact significatif sur la performance des produits finaux. Les substrats eSI de Soitec sont obtenus en introduisant un matériau innovant (couche "trap-rich") entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l’oxyde enterré.

Cette couche limite la conduction parasite de surface présente dans le HR-SOI standard, améliorant les performances des circuits RF, et comme elle est intégrée dans le substrat, le nombre d'étapes nécessaires au procédé de fabrication est réduit et les règles de dessin sont assouplies, d’où une diminution du coût de production et la possibilité d’atteindre pour une même fonction des puces de taille réduite.

Les concepteurs de circuits RF peuvent donc intégrer des fonctions diverses telles que les commutateurs, les amplificateurs de puissance et des tuners d'antenne. Le substrat eSI leur apporte une excellente isolation RF, une faible perte d'insertion, une meilleure conductivité thermique et une meilleure intégrité de signal par rapport aux autres technologies.

"Notre produit eSI breveté, développé et optimisé au cours des dernières années est désormais qualifié par plusieurs de nos clients clés et produit en volume pour une utilisation dans les téléphones portables disponibles aujourd’hui sur le marché", a déclaré Bernard Aspar, senior vice-président et directeur général de la business unit Communication & Power de Soitec.

"En temps que pionnier de l'innovation dans les substrats RF, nous sommes très heureux d’apporter une technologie qui permet aux leaders du marché d’accéder à une solution RF à prix compétitif, répondant aux exigences strictes des réseaux 4G/LTE."

Le nouveau produit eSI fait partie de la famille de produits Wave SOI de Soitec, et il complète la gamme de produits SOI haute résistivité (HR) de la société. Ces substrats HR-SOI sont déjà utilisés aujourd'hui dans la plupart des smartphones, faisant d'eux les substrats innovants privilégiés pour les commutateurs.

Alors que le substrat HR-SOI standard est capable de répondre aux exigences 2G et 3G, les substrats eSI atteignent une linéarité et une isolation beaucoup plus élevées, permettant aux concepteurs de circuits de répondre aux besoins les plus poussés du 4G/LTE, à un coût compétitif, selon Soitec.


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