(BFM Bourse) - Après un bond de 5,5% vendredi, l'action Soitec poursuit lundi matin sur sa lancée (+5,5% à 2,86 euros), portée par une actualité favorable. Le spécialiste des matériaux semi-conducteurs d'extrêmes performances vient d'annoncer la signature d'un accord de développement et de licence avec la société américaine GT Advanced Technologies « en vue de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE) pour produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium à moindre coût ».

Soitec précise que «cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes (LED) et dans d'autres applications industrielles en plein essor, telles que dans l'électronique de puissance ».

« Nous travaillons depuis plus de six ans sur les technologies d'épitaxie de couches de nitrure de gallium et nous avons créé cette technologie révolutionnaire d'HVPE qui va être essentielle dans la production de couches de GaN à moindre coût et de haute qualité sur des substrats de saphir. Cet accord [...] constitue la validation ultime de ces travaux », a déclaré Chantal Arena, directrice générale de Soitec Phoenix Labs.

L'accord complète en effet celui conclu l'année dernière avec Silian, qui intégrera cette technologie HVPE sur leurs substrats de saphir. « Cela permet à Soitec de structurer son offre éclairage-LEDs autour de technologies différenciées et de partenaires industriels, incluant matériaux et équipements », souligne Chantal Arena.