(Zonebourse.com) -
GE Aerospace annonce la démonstration réussie de sa quatrième génération de transistors de puissance MOSFET en carbure de silicium (SiC), offrant une tension de 1200V, une résistance de 11m? et une tenue en température record de 200°C. Ces dispositifs améliorent la vitesse de commutation, l'efficacité énergétique et la durabilité.
Destinés aux applications à forte puissance - centres de données d'intelligence artificielle, véhicules hybrides et électriques, énergies renouvelables et usages industriels - ces composants permettent une densité de puissance accrue et une réduction notable des pertes d'énergie.
Selon Kris Shepherd, président et directeur général des systèmes électriques de GE Aerospace, cette nouvelle génération 'offre une rupture de performance' et renforce la position du groupe dans les solutions d'alimentation haute efficacité. Issue de plus de vingt ans de R&D, cette technologie consolide le rôle du SiC comme matériau de référence pour les semi-conducteurs de puissance.
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