(BFM Bourse) - Soitec a annoncé lundi soir l'adoption par ST-Ericsson, la co-entreprise de STMicroelectronics et d'Ericsson spécialisée dans les puces pour mobiles, de sa technologie de transistors à structure planaire dite totalement "déplétée" sur silicium sur isolant (FD-SOI) pour les plates-formes mobiles de nouvelle génération

« La prochaine génération de terminaux mobiles destinés au grand public exigera une plus grande facilité d'utilisation et des performances plus élevées sans diminuer la durée de vie des batteries », explique Louis Tannyeres, chief chip architect chez ST-Ericsson.

« En plus d'innovations au niveau de la conception générale du système, il est primordial de pouvoir s'appuyer sur les derniers progrès effectués dans le domaine de la technologie silicium pour apporter de nouvelles performances et une plus grande efficacité énergétique. Les résultats de nos travaux avec STMicroelectronics sur le procédé FD-SOI ont démontré que cette technologie est capable d'offrir ces avantages à un coût compétitif et en apportant une forte différentiation à nos solutions. »

« La technologie FD représente une option à moindre risque pour les fournisseurs de circuits comme ST-Ericsson, qui souhaitent tirer parti des avantages offerts par les architectures de transistors totalement ‘déplétés' tout en continuant à utiliser les méthodologies de conception et de fabrication existantes », souligne pour sa part Paul Boudre, le directeur général délégué de Soitec.

« Cette annonce représente la première étape industrielle vers une technologie CMOS planaire FD, des années avant que d'autres procédés soient disponibles de la part des fondeurs ».