(CercleFinance.com) - Soitec a rapporté ce lundi avoir mis au point avec Screen Semiconductor Solutions Co., un important fabricant d'équipements de pointe pour l'industrie des semi-conducteurs, un nouveau procédé de production. A fort volume, celui-ci permet d'obtenir une uniformité à l'échelle atomique de ±5 angströms pour l'ensemble de la surface de toutes les plaques de silicium sur isolant totalement 'déplétées' (Fully Depleted FD-SOI) en 300 millimètres.

Le contrôle à l'échelle atomique de l'épaisseur de la couche supérieure de silicium du substrat SOI assure ainsi une excellente maîtrise de la géométrie du transistor, point clé de la technologie Fully Depleted. Ce succès collaboratif maximise non seulement les rendements des substrats pour la technologie FD-SOI, mais constitue également une étape supplémentaire dans le renforcement de l'écosystème mondial de ladite technologie, laquelle s'appuie sur les plaques à base de silicium sur isolant, sur lesquelles sont fabriqués les circuits.

'Ce procédé assure un contrôle extrêmement précis de l'uniformité de la couche supérieure de silicium à seulement quelques atomes', a souligné Soitec dans son communiqué.

Alliant performances élevées et faible consommation énergétique, la technologie FD-SOI est particulièrement adaptée aux processeurs utilisés dans des industries sensibles aux coûts comme les mobiles, l'électronique de grande consommation, l'automobile et les réseaux.


Copyright (c) 2015 CercleFinance.com. Tous droits réservés.