(BFM Bourse) - Alors que la rumeur d'un possible abandon de la technologie du silicium sur isolant (SOI) de Soitec par son premier client AMD est récurrente depuis plusieurs années, un article de Semiconductor Manufacturing Design, est récemment revenu sur les avantages de la technologie FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator), mis en avant par Bruce Doris, responsable de la R&D chez IBM - autre client majeur de Soitec - pour les prochaines générations de transistors.

« Dans le passé, il y a eu beaucoup de scepticisme et la controverse sur ce que le FD-SOI planaire pourrait offrir comme performances. Ce que nous avons montré que ces FD-SOI planaires sont capables de conduire le courant nécessaire pour les applications de haute performance », a déclaré celui-ci après une présentation lors de la dernière conférence Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Silicon-on-Insulator (SOI).

Pour cet expert IBM, outre sa simplicité de fabrication et sa très basse consommation électrique, le FD-SOI affiche un niveau de performance extrêmement compétitif, ce qui lui permet de fournir les GHz nécessaires aux puces pour PC mais aussi à celles des smartphones et autres tablettes. IBM observe par exemple un gain de 20% entre les meilleures performances au noeud 28nm en technologie "traditionelle" et celle du noeud 20nm en FD-SOI, tout en diminuant significativement la tension d'alimentation (de 1V à 0,9V) donc la consommation électrique.