(BFM Bourse) - Soitec a annoncé lundi soir la signature d'un accord avec la société chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology (Silian) portant sur le développement conjoint de "pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant la HVPE ou méthode d'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy)".

"Les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus permettent de fabriquer des diodes électroluminescentes (LED) performantes en réalisant des économies exceptionnelles", explique le fabricant de matériaux semi-conducteurs d'extrêmes performances pour l'électronique et l'énergie.

« Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de diodes LED pourront libérer jusqu'à 60 % de leur capacité MOVPE. Les fabricants de diodes LED peuvent à présent se concentrer sur l'amélioration des couches les plus délicates, qui constituent la partie électroluminescente des diodes », a déclaré André-Jacques Auberton-Hervé, président-directeur général de Soitec.

« Outre cette opportunité commerciale, nous explorons la possibilité d'élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l'éclairage par LED, en utilisant l'expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona. », a ajouté le dirigeant.