(BFM Bourse) - L’avenir de la technologie Silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator) se renforce, avec toujours STMIcroelectonics comme fer de lance.

L’accord de grande envergure annoncé lundi soir par le groupe franco-italien avec le fabricant américain de mémoire vive Rambus va en effet permettre à Rambus d'accéder à l'environnement de conception basé sur cette technologie.

« Rambus pourra ainsi tirer parti des géométries microélectroniques réduites et de la faible consommation d`énergie qu'offre la filière FD-SOI dans les noeuds de 28nm et inférieurs pour ses futures solutions d'interface mémoire », a souligné ST-Microelectronics.

Le mois dernier, STMicroelectronics avait annoncé le lancement du projet « Places2Be » d'une durée de trois ans et d'une valeur de 360 millions d'euros impliquant la construction de lignes-pilotes en technologie avancée afin de soutenir l'industrialisation du FD-SOI. Dix neuf grandes entreprises et institutions universitaires européennes participent au projet, et notamment Soitec, leader mondial historique du silicium sur isolant (SOI).

« Premier grand client à basculer sur cette technologie […] STM a apporté la preuve de la supériorité du FD-SOI en termes d’économies des coûts, en démontrant sa capacité à allier vitesse, simplicité et faible dégagement de chaleur », expliquait récemment Olivier Brice, le directeur financier de Soitec, dans un entretien à Tradingsat.com.

« Le marché des PC, des consoles de jeux, ainsi que celui des smartphones, constituent des débouchés naturels. La ligne-pilote de STMicroelectronics de l'usine de Crolles, près de Grenoble produit déjà du FD-SOI, et un accord a également été signé avec GlobalFoundries pour en produire dans l’usine de Dresde, en Allemagne », ajoutait le dirigeant.