(BFM Bourse) - Le groupe chinois a annoncé avoir conçu une puce mémoire de nouvelle génération qui le place technologiquement devant les cadors du secteur comme SK Hynix ou Samsung Electronics.
Les grands acteurs de la mémoire vive sont devenus, depuis un an, les nouveaux gagnants de l'essor de l'intelligence artificielle (IA) en Bourse.
Les fabricants de processeurs graphiques (GPU) et de processeurs centraux (CPU), comme Nvidia, AMD ou Broadcom, ont été les premiers à bénéficier de ce rallye. Puis le feu d'artifice s'est élargi à ces spécialistes de la mémoire, qui ont à la fois bénéficié d'une forte demande et de prix élevés en raison de l'importante consommation de mémoire occasionnée par les centres de données.
Les technologies de mémoire vive dynamique (DRAM) ont notamment connu une importante flambée de leurs tarifs.
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Si la DRAM se retrouve dans les ordinateurs et les smartphones, "dans le domaine de l'informatique de pointe, la DRAM haute vitesse est considérée comme indispensable pour les tâches complexes et gourmandes en mémoire, telles que le traitement de l'IA et les tests de modèles", note JPMorgan. La banque estime que les prix de la DRAM devraient avoir augmenté de 400% entre 2024 et fin 2026.
Une percée technologique
Ce phénomène a tiré les cours de grands acteurs du secteur de la mémoire, tels que les coréens Samsung Electronics (+153% sur un an) et SK Hynix (+251%), le japonais Kioxia (+639%), ou encore l'américain Micron (+428%).
Tous ces titres prennent plus ou moins la foudre ce mardi. Samsung a plongé de 7,4%, SK Hynix de 10,1%, Kioxia de 13,3% tandis que Micron perd 4% en début de séance à Wall Street.
Les autres groupes de semi-conducteurs subissent également des dégagements, quoique moins prononcés. À Paris, STMicroelectronics chute de 4% et Soitec plonge de 5,7%. À Munich, Infineon Technologies recule de 3,4%.
Ce coup de bambou s'explique par une percée technologique provenant de Chine. Le groupe de semi-conducteurs CXMT, qui s'était coté à Shanghai fin juillet avec une importante hausse à la clef pour son premier jour de cotation (+466%), a réalisé une importante prouesse.
"Le Southern China Morning Post a indiqué que CXMT avait bien avancé dans la mise au point d'une nouvelle architecture DRAM qui permettrait d'augmenter la densité de mémoire", note Deutsche Bank.
La société chinoise a atteint le standard d'architecture DRAM F4², un stade que ni SK Hynix ni Samsung n'a franchi, selon Bloomberg.
"La norme 6F² actuellement en vigueur dans le secteur correspond à une surface égale à 6 fois le carré de la "taille caractéristique" d’une puce, c’est-à-dire la largeur de ligne de base entre les transistors, poursuit l'agence américaine.
Samsung et SK Hynix étudient actuellement des moyens de ramener cette valeur à 4F², ce qui permettrait en théorie de regrouper le même nombre de cellules sur une surface plus petite, pour un meilleur rendement, écrit encore Bloomberg.
"Les progrès annoncés par le chinois CXMT sur une architecture DRAM plus dense font craindre que l’augmentation de l’offre chinoise ne pèse plus rapidement que prévu sur le pouvoir de fixation des prix de Micron, Samsung et SK Hynix", explique John Plassard, de Cité Eco.
"Cette annonce ne remet pas immédiatement en cause leur avance dans la mémoire à haute bande passante destinée à l’IA, mais elle alimente la crainte d’un pic futur des marges dans la mémoire conventionnelle", ajoute-t-il.
"Une mise en œuvre réussie et anticipée de l’architecture 4F² dans la production de DRAM améliorerait considérablement la position concurrentielle de CXMT par rapport à ses concurrents", a déclaré de son côté Jing Jie Yu, analyste chez Morningstar, cité par Bloomberg.
"Cela dit, tant les leaders du secteur de la mémoire que les fabricants d’équipements ont tous deux souligné la difficulté de cette transition technologique, et nous nous attendons toujours à un délai significatif entre le dévoilement du produit 4F² de CXMT et sa commercialisation avec des rendements viables", poursuit-il.