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Soitec : Présente sa feuille de route pour le développement de transistors avancés

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(Tradingsat.com) - En marge de la publication de son chiffre d'affaires annuel, Soitec a présenté lundi soir sa feuille de route pour le développement de transistors avancés tridimensionnels (FinFET) et à structure planaire dite « totalement déplétée » (Fully Depleted — FD).

« D'ores et déjà disponibles, les plaques FD de Soitec, dont la structure prédétermine les caractéristiques critiques du transistor, rendent possible la migration à faible risque vers la technologie FD dès le nœud technologique 28 nm et sont déjà prêtes pour descendre jusqu'au nœud 10 nm et au-delà, en abaissant les coûts », souligne l'entreprise.

Le groupe ajoute que « ces plaques FD nouvelle génération garantissent des avancées significatives en termes de performances et d'efficacité énergétique des terminaux mobiles comme les smartphones et autres tablettes tactiles ».

« Notre feuille de route sur nos produits Fully Depleted répond aux besoins cruciaux de l'industrie des semi-conducteurs et résout les challenges auxquels les fabricants doivent aujourd'hui faire face. Quelle que soit l'approche choisie par les industriels et concepteurs de circuits intégrés, planaire ou FinFET, Soitec propose des solutions qui répondent aux enjeux de coût, de performance, d'efficacité énergétique et de mise sur le marché des semi-conducteurs », déclare Paul Boudre, Directeur général délégué de Soitec.

« La gamme FD-2D amène une amélioration immédiate et significative des performances, tandis que la gamme FD-3D fait du FinFET une réalité pour toute l'industrie suivant un calendrier accéléré et avec un risque réduit. »

Extrêmement mince et uniforme, la couche de silicium supérieure des plaques FD-2D de Soitec permet de réaliser des transistors à structure planaire FD avec une épaisseur de silicium pouvant descendre jusqu'à 5 nm sous la grille. Une couche ultra-mince d'oxyde (buried oxide ou BOX) de 25 nm d'épaisseur est placée entre cette couche supérieure et la couche de base en silicium.

La couche supérieure des plaques FD-3D est une mince couche de silicium placée sur une couche isolante d'oxyde (buried oxide, BOX) dont l'épaisseur est adaptée aux besoins du client. « Les experts estiment que les plaques FD-3D de Soitec pourront faire gagner potentiellement jusqu'à une année par rapport à l'utilisation de substrats en silicium massif conventionnels », précise Soitec.

Soitec travaille également activement au développement d'autres solutions qui augmentent encore les performances des transistors, qu'ils soient sur base silicium ou avec de nouveaux matériaux. Pour continuer à repousser les limites de la filière CMOS en silicium, Soitec développe actuellement des plaques de « silicium contraint » pour ses lignes de produits FD-2D et FD-3D, avec une pré-production prévue dès 2014 : la structure cristalline de la couche de silicium des plaques initiales, dans laquelle les transistors seront par la suite dessinés, est modifiée par Soitec. Cela améliore la mobilité des électrons et augmente la fréquence opérationnelle maximale des transistors et des circuits.

À plus longue échéance, plusieurs nouvelles options technologiques sont à l'étude au sein de l'industrie des semi-conducteurs en vue de les appliquer au-delà du nœud technologique 14 nm.

Parmi les principales possibilités figurent l'incorporation de matériaux à haute mobilité, tels que le germanium ou les matériaux de type III-V, ainsi que les nouvelles architectures de transistors telles que les "nano-wires".

Soitec indique "mene[r] actuellement différents programmes de R&D et de co-développement avec des partenaires pour enrichir ses lignes de produits et proposer les produits les plus performants qui répondront aux besoins de l'industrie".

Enfin, le groupe dirigé par André-Jacques Auberton-Hervé anticipe le passage du diamètre des plaques de 300 à 450 mm par le biais de programmes de R&D internes et de projets collaboratifs. Il ne voit aucun point de blocage pour transférer les produits FD-2D et FD-3D vers la filière 450 mm.


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